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元件参数资料
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参数目录33727
> BCR 101L3 E6327 TRANSISTOR NPN 50V 50MA TSLP3-4
型号:
BCR 101L3 E6327
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Infineon Technologies
描述:
TRANSISTOR NPN 50V 50MA TSLP3-4
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
BCR 101L3 E6327 PDF
标准包装
15,000
系列
-
晶体管类型
NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大)
50mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧)
100k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧)
100k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
70 @ 5mA,5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)
300mV @ 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大)
-
频率 - 转换
100MHz
功率 - 最大
250mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SC-101,SOT-883
供应商设备封装
PG-TSLP-3
包装
带卷 (TR)
其它名称
BCR101L3E6327XT
SP000014850
查看BCR 101L3 E6327代理商
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